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Inventory:1500 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：NTHD4N02FT1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C2L
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

MOSFET TYPE  N-Channel
MOS Drain-Source Voltage (Vds)  40V

Vgs(±)

MOS Gate-Source Voltage

  12V
MOS Drain Current  （Id）  4.2A

Rds(on)

MOS Drain-Source On-State Resistance

  RDS(on) = 75 m @ Vgs = 4.5 V
RDS(on) = 143 m @ Vgs = 2.5 V

Vgs(th)

MOS Gate-Source Threshold Voltage

  0.6V
DIODES TYPE  sbd
DIODE Reverse Voltage  (Vr)  20v
DIODE Average Rectified Current (Io)  1a
DIODE Forward Voltage(Vf)  0.365V
Power Dissipation (Pd)  2.1W
Description & Applications  
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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
NTHD4N02FT1
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