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Inventory:3000 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1301DL-T1/LGW
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LGW
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-180mA/-0.18A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		2.6Ω @-180mA,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.40--1.5V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsP-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道20-V（D-S）的MOSFET

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1301DL-T1/LGW
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