Please log in first
Home
Cart0
Inventory:638 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：SI1400DL-T1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB500
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：NDS
  • Package：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance235mΩ@ VGS =2.5V, ID =1.3A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation568mW/0.568W
Description & ApplicationsN-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Trench FET Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用N沟道20 V（D-S）的MOSFET 特点  •无卤素根据IEC 61249-2-21定义  •沟槽FET功率MOSFET  •符合RoHS指令2002/95/EC

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1400DL-T1
*Title：
Message：
*Code：