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Inventory:5900 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI1305EDL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：LEN
  • Package：SOT-323/SC70

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-8V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-920mA/-0.92A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.280Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.45V
耗散功率Pd
Power Dissipation		340mW/0.34W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI1305EDL
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