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Inventory:39400 Min Order：10
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  • Model：si1406dh-T1-E3
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05/06+rohs 4*05+ROHS33KM盒子 05+3kMrohs 2020-3-3 D
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：abc
  • Package：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current3.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.065Ω/Ohm @3.9A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.45-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.56W
Description & ApplicationsN-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET Power MOSFETS 1.8-V Rated hermally Enhanced SC-70 Package
描述与应用N沟道25-V（D-S）的MOSFET 耐热增强型SC-70封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
si1406dh-T1-E3
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