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Inventory:150 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：SI3900DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：OOL
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		12V
最大漏极电流Id
Drain Current		2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		200mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		830mW/0.83W
Description & ApplicationsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
描述与应用双N沟道 20-V（D-S）的MOSFET

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3900DV
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