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Inventory:540 Min Order：10
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  • Model：SSM5N03FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DA
  • Package：SOT-553/ESV

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		10V
最大漏极电流Id
Drain Current		100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		12Ω@ VGS = 2.5V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.7~1.3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Analog-Switch Applications • Input impedance is high; driving current is extremely low. • Can be directly driven by a CMOS device even at low voltage due to low gate threshold voltage. • High-speed switching • Housed in an ultra-small package suitable for high density mounting
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •输入阻抗高，驱动电流极低。 •可直接驱动一个CMOS设备，即使在低电压下，由于低 栅极阈值电压。 •高速开关 •坐落在一个超小型封装，适用于高密度安装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM5N03FE
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