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  • Model：SSM6K22FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KD
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current1.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance170mΩ@ VGS = 4V, ID = 700mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4~1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅢ) High Current Switching Applications DC-DC Converter • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on resistance: Ron = 170 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 230 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅢ） 高电流开关应用 DC-DC转换器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻RON =170MΩ（最大）（@ VGS=4.0 V） RON =230MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6K22FE
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