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Inventory:4000 Min Order：10
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  • Model：TPCF8002
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F2B
  • Package：1206-8/vs-8/SOT23-8

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 16mΩ~21mΩ
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3V~2.5V VDS = 10 V, ID = 1mA
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS Ⅳ) . * Notebook PC Applications * Portable Equipment Applications * Small footprint due to a small and thin package * Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 mΩ (typ.) * Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) * Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *笔记本电脑应用 *便携式设备的应用 *由于占地面积小，小而薄的封装 *低漏源导通电阻RDS（ON）= 16mΩ（典型值） *低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=30 V） *增强模式：VTH =1.3到2.5 V（VDS=10V，ID=1毫安）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
TPCF8002
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