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2PB710AR PNP transistors（BJT） -60V -500mA/-0.5A 120MHz 120~240 -600mV/-0.6V SOT-23/SC-59 marking DR switch/amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
−60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP medium power transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大50 V） •低集电极 - 发射极饱和电压（最大600毫伏）。 应用 •通用开关和放大 |
