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2SA1163 PNP transistors（BJT） -120V -100mA/-0.1A 100MHz 350~700 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking CL radio amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−100mA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
350~700 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications | audio frequency general purpose amplifier applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) • High voltage ： VCEO = −120 V • Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 200~700 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Complementary to 2SC2713 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| 描述与应用 | 音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程） •高电压VCEO=-120V •优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） •高HFE：HFE= 200〜700 •低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） •互补2SC2713 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用 |
