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2SA1577 PNP transistors（BJT） -40V -500mA/-0.5A 200MHz 120~270 -600mV/-0.6V SOT-323/UMT3 marking HQ
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | −40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −600mV/-0.6V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC4097 |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 1）大输出电流。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（sat）的。 为低电压操作的理想选择。 3）补充2SC4097 |
