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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1797-Q PNP transistors（BJT） -50V -3A 200MHz 120~270 -150mV/-0.15V SOT-89/MPT marking AGQ
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -3A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −150mV/-0.15V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Power Transistor (−50V, −3A) Features 1) Low saturation voltage. VCE (sat) = −0.35V (Max.) at IC / IB = −1A / −50mA. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SC4672. |
| 描述与应用 | 功率晶体管（-50V，-3A） 特点 1）低饱和电压。 VCE（sat）=-0.35V（最大）在IC/ IB=-1A/-50mA的。 2）优秀DC电流增益特性。 3）补充2SC4672。 |
