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2SB1119S PNP transistors（BJT） -25V -1A 180MHz 140~280 -700mV/-0.7V SOT-89/PCP marking BBS LFamplifier/Electronic governor
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −25V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 140~280 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | −700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor LF Amp,Electronic governor application Features Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s. |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 LF放大器，电子调速器应用 特点 体积非常小，因此很容易提供高密度，小型混合IC。 |
