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2SB1260 PNP transistors（BJT） -80V -1A 100MHz 82~180 -400mV/-0.4V SOT-89/MPT marking BEP high breakdown voltage
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial planar transistor Power Transistor Features 1) High breakdown voltage and high current. 2) Good hFE linearity. 3) Low VCE(sat). 4) Complements to 2SD1898. |
| 描述与应用 | PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）高击穿电压和高电流。 2）良好的HFE线性。 3）低VCE（sat）的。 4）补充型2SD1898。 |
