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2SD2098 NPN Transistors(BJT) 50V 5A 150MHz 270~560 250mV/0.25V SOT-89/SC-62/MPT3 marking DJS
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
120~270 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications | features *Low VCE(饱和). VCE(饱和) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) * Excellent DC current gain characteristics. structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *低VCE（饱和）。 VCE（饱和）= 0.25V （IC / IB= 4A/0.1A） *优异的DC电流增益特性。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |
