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2SD2114K NPN Transistors(BJT) 25V 500mA/0.5A 350MHz 1200~2700 180mV/0.18V SOT-23/SC-59/SMT3 marking BBW
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
350MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
1200~2700 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
180mV/0.18V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | features * High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) * High emitter-base voltage. VEBO = 12V (Min.) * Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.18V (Typ.) (IC / IB = 500mA / 20mA) structure Epitaxial planar type NPN silicon transisto |
| 描述与应用 | *高直流电流增益。 HFE=1200 *高发射基地电压。 VEBO=12V（最小值） *低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=0.18V （IC/ IB=500mA/20毫安的） 结构 外延平面型 NPN硅transisto的 |
