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2SD2150 NPN Transistors(BJT) 40V 3A 290MHz 180~390 200mV/0.2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking CFR low frequency
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
290MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications | applications Low Frequency Transistor Features * Low VCE(sat). * VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A) * Excellent current gain characteristics. * Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 应用 低频晶体管 特点 *低VCE（SAT）。 * VCE（饱和）=0.2V （IC / IB=2A/0.1A） *优秀的电流增益特性。 *外延平面型硅NPN晶体管 |
