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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SJ625 MOSFET P-Channel -20V 3A 0.09ohm SOT-23 marking XM low on-resistance high-speed switch 1.8V drive
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | -3A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 0.09Ω @-1.5A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.45--1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance RDS(on)1 = 54 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 71 mΩ MAX. (VGS = –2.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 108 mΩ MAX. (VGS = –1.8 V, ID = –1.5 A) |
| 描述与应用 | •1.8 V可驱动 •低通态电阻 的RDS（on）= 54mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）=71mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）3 =108mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-1.5“） |
