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BSL211SP OptiMOS?-P Small-Signal-Transistor -20V -4.7A SOT163 代码 PB Enhancement mode
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
-4.7A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance |
94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6v~-1.2v |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
|
| Description & Applications | * OptiMOS -P Small-Signal-Transistor. * P-Channel. * Enhancement mode. * Super Logic Level (2.5 V rated). * 150°C operating temperature. * Avalanche rated. * dv/dt rated. |
| 描述与应用 | * OptiMOS-P小信号晶体管。 * P-通道。 * 增强模式。 * 超级逻辑电平（2.5 V额定）。 * 150°C的工作温度。 * 额定雪崩。 * dv / dt的评级。 |
