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MSD1819A-RT1 NPN Transistors(BJT) 60V 100mA/0.1A 90~340 500mV/0.5V SOT-323/SC-70 marking ZR amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 90~340 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | General Purpose Amplifier Transistor NPN Silicon Surface Mount This NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-70/SOT-323 package which is designed for low power surface mount applications. • High hFE, 210–460 • Low VCE(sat) , < 0.5 V • Available in 8 mm, 7-inch/3000 Unit Tape and Reel • Moisture Sensitivity Level 1 • ESD Protection: Human Body Model > 4000 V ESD Protection: Machine Model > 400 V |
| 描述与应用 | 通用 晶体管放大器 NPN硅表面贴装 这NPN硅外延平面晶体管是专为一般 放大器应用的目的。这个装置是装在 SC-70/SOT-323包装是专为低功率表面 安装应用程序。 •高HFE，210-460 •低VCE（SAT） ，<0.5 V •可在8毫米，7-inch/3000组带和卷轴 •湿度敏感度等级1 •ESD保护：人体模型>4000 V ESD保护：机器型号> 400 V |
