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  • Model：FDC5612
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：562
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current4.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance64mΩ@ VGS = 6V, ID =4A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2~4V
耗散功率Pd Power Dissipation1.6W
Description & Applications60V N-Channel Power Trench MOSFET General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency Applications • DC/DC converte Features • High performance trench technology for extremely low RDS(ON) • Low gate charg • Fast switching speed
描述与应用60V N沟道功率沟槽MOSFET 概述 此N沟道MOSFET已专门设计，以提高整体效率的DC / DC转换器采用同步或传统开关PWM控制器。 这些MOSFET具有更快的开关和更低的栅极电荷比其他的MOSFET相媲美的RDS（ON）规格。 其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶（即使在非常高的频率），和DC / DC电源设计中具有较高的整体效率 应用 •DC/ DC转换器具 特点 •高性能沟道技术极低的RDS（ON） •低栅极临时代办 •开关速度快

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDC5612
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