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Inventory:237350 Min Order：10
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  • Model：FDC653N
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+ROHS161K
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：653K
  • Package：SOT-163/SOT23-6

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.035Ω/Ohm @5999mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation1.6W
Description & ApplicationsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 5 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 W @ VGS= 10 V RDS(ON)= 0.055 W @ VGS= 4.5 V. Proprietary SuperSOTTM -6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) .Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.
描述与应用N沟道增强型场效应晶体管 •低栅极电荷 •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •高功率和电流处理能力

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
FDC653N
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