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  • Model：SI3552DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：52
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V/20V
最大漏极电流Id
Drain Current		2.5A/-1.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		175mΩ@ VGS =4.5V, ID =2A/360mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-1.2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		1V/-1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.15W
Description & ApplicationsN- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用N沟道和P-通道 30-V（D-S）的MOSFET

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3552DV
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