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Inventory:1000 Min Order：10
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  • Model：SI3801DV
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：O1
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		-12V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2.3A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		400mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		2W
Description & ApplicationsBi-Directional P-Channel MOSFET/Battery Switch Feature Low rSS(on) Symmetrical P-Channel MOSFET Rated for 2.5- to 12-V Operation Symmetrical 12-V Blocking (off) Voltage Solution for High-Side Battery Disconnect Switching (BDS) Supports Multiple Battery Applications Low Profile, Small Footprint TSOP-6 Package
描述与应用双向P沟道MOSFET/电池开关 特点 低RSS（上）对称的P沟道MOSFET 额定为2.5-12-V操作？ 12-V对称封锁（关闭）电压 解决高侧电池断开开关（BDS） 支持多种电池应用 薄型，占地面积小TSOP-6封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SI3801DV
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