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2SA1235 PNP transistors（BJT） -50V -200mA/-0.2A 200MHz 150~300 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking ME low-frequency amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
−200mA/-0.2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
150~300 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE ●Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent linearity of DC forward gain. ●Super mini package for easy mounting APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application |
| 描述与应用 | 对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型） 特点 ●小集电极到发射极饱和电压。 VCE（sat）=-0.3V最大（@ IC =100mA时IB=-10mA的） ●直流前锋出色的线性度获得。 ●超小型封装，便于安装 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压 放大应用 |
