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2SA1312 PNP transistors（BJT） -120V -100mA/-0.1A 100MHz 200~400 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking ABG radio RF amplifier
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -120V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 350~700 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type audio frequency low noise amplifier application； high voltage； low noise； high hFE |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 音频高频低噪声放大器的应用; 高电压; 噪音低; HFE高 |
