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2SA1363 PNP transistors（BJT） -20V -2A 80MHz 400~800 -170mV/-0.17V SOT-89/SC-62 marking AG. high HFE
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
−20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-16V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-2A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
400~800 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage |
-170mV/-0.17V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type high hFE； high collector current； small collector to emitter saturation voltage； high collector dissipation； small packing for mounting |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 HFE高; 高集电极电流; 小集电极到发射极饱和电压; 高集电极耗散; 小包装安装 |
