Scavenging browsing Mobile
Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SA1729R PNP transistors（BJT） -50V -1.5A 300MHz 100~200 -300mV/-0.3V SOT-89/PCP marking AGR highspeed switch
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −40V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~200 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | PNP epitaxial planar silicon transistor High-speed switching application adoption of FBET process； low collector-to-emitter saturation voltage； fast switching speed； large current capacity |
| 描述与应用 | PNP外延平面硅晶体管 高速开关应用 采纳的FBET过程; 低集电极 - 发射极饱和电压; 开关速度快; 大电流容量 |
