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2SA2016 PNP transistors（BJT） -50V -7A 290MHz 200~560 -390mV/-0.39V SOT-89/PCP marking AW DC-DCconvertor/relay driver
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -7A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 290MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 200~560 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter SaturationVoltage | -390mV/-0.39V |
| 耗散功率Pc PoWer Dissipation | 600mW/0.6W |
| Description & Applications | PNP Silicon epitaxial Transistor For DC-DC converter applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall-sized package permitting applied sets to be made small and slim. High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | PNP硅外延晶体管 DC-DC转换器应用 应用 继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 大电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 集小型和超薄超小尺寸封装允许应用。 高允许功耗。 |
