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2SD1733TLQ NPN Transistors(BJT) 100V 1A 100MHz 82~180 150mV/0.15V TO-252/CPT3 marking D1733 power
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 82~180 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Power Transistor (80V, 1A) Features * High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(sat). structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 功率晶体管（80V，1A） 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |
