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Hot Search： SSM3K35MFV SSM3J36MFV 2SK3376TT-B
2SD2351 NPN Transistors(BJT)Vcbo= 60V Vceo=50v Ic=150mA/0.15A ft=250MHz HFE=820~1800 Vce=300mV/0.3V SOT-323/SC-70/UMT3 marking BJV
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
820~2700 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) |
| 描述与应用 | 通用晶体管（50V，0.15A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VCBO12V） 3）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA） |
