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  • Model：SSM6J53FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KG
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		136mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -1A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ○ Power Management Switch Applications • 1.5 V drive • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low on-resistance : Ron = 136 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 204 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 364 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○高速开关应用 ○电源管理开关应用 •1.5 V驱动器 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻：RON= 136MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） RON= 204MΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） RON= 364MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J53FE
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