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2SD2211 NPN Transistors(BJT) 160V 1.5A 80MHz 180~390 2V SOT-89/SC-62/MPT3 marking DQR power
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
1.5A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
2V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications | Power Transistor (160V , 1.5A) Features 1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) 2) Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V) 3) High transition frequency.(fT = 80MHZ) 4) Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. |
| 描述与应用 | 功率晶体管（160V，1.5A） 特点 1）高的击穿电压（BVCEO=160V）。 2）低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V） 3）高转换频率（FT =80MHZ）。 4）补充2SB1275/2SB1236A的。 |
