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2SJ557 MOSFET P-Channel -30V 2.5A 0.114ohm SOT-23 marking XB high-speed switch
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | -20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | -2.5A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance | 0.114Ω @-1A,-10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1.0--2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | FEATURES • Can be driven by a 4 V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 155 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –1.0 A) RDS(on)2 = 255 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –1.0 A) RDS(on)3 = 290 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A) |
| 描述与应用 | •可驱动4 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =155mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）=255mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-1.0 A） 的RDS（on）3 =290mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-1.0 A） |
