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  • Model：SSM6J205FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KO
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-800mA/-0.8A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		460mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications • 1.8V drive • P-ch 2-in-1 • Low ON-resistance:Ron = 460 mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 306 mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 234 mΩ (max) (@VGS = −4.0 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型 高速开关应用 电源管理开关应用 •1.8V驱动 •P沟道2合1 •低导通电阻:Ron = 460 mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 306 mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 234 mΩ (max) (@VGS = −4.0 V)

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J205FE
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