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  • Model：SSM6J207FE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：4000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：KT
  • Package：SOT-563/ES6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1.4A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		491mΩ@ VGS = -4V, ID = -400mA
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1.2~-2.6V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications • 4 V drive • Low ON-resistance:Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = −10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型 ○高速开关应用 •4 V驱动器 •低导通电阻：Ron = 491 mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 251 mΩ (max) (@VGS = −10 V)

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
SSM6J207FE
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