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  • Model：SSM6J505NU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：12+ROHS
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：SP5
  • Package：UDFN6B

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-12V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		6V
最大漏极电流Id
Drain Current		-12A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		12mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -4A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.3~-1.0v
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.25W
Description & ApplicationsMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS VI) 1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.2 V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用MOSFET的硅P沟道MOS（U-MOS VI） 1。应用 •电源管理开关 2。特点 （1）1.2 V的栅极驱动电压。 （2）低漏源导通电阻: RDS(ON) = 61 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 30 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 16 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 12 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
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SSM6J505NU
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